အလူမီနီယမ်နှင့် အလူမီနီယမ်အလွိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းAWS E4043
ဖော်ပြချက်- AWS E4043 သည် ဆားအခြေခံ အပေါ်ယံလွှာပါရှိသော အလူမီနီယမ်-ဆီလီကွန် သတ္တုစပ် အီလက်ထရုတ် တစ်ခုဖြစ်သည်။ DCEP (တိုက်ရိုက်လျှပ်စီးကြောင်း အပေါင်း) ကို အသုံးပြုပါ။ တိုတောင်းသော အာ့ခ် မြန်ဆန်သော စမ်းသပ် ဂဟေဆက်ခြင်း။ သွင်းထားသော သတ္တုသည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခိုင်ခံ့မှုနှင့် အက်ကွဲခြင်းကို ခံနိုင်ရည် ကောင်းမွန်သော ရှိသည်။
အသုံးပြုပုံ- အလူမီနီယမ်ပြား၊ အလူမီနီယမ်-ဆီလီကွန် ပုံသွင်းခြင်း၊ အထွေထွေ အလူမီနီယမ် အလွိုင်း၊ သွန်းလုပ်ထားသော အလူမီနီယမ် နှင့် ဒူရာလူမီနီယမ် တို့ကို ဂဟေဆော်ရာတွင် အသုံးပြုသည်။ သို့သော် အလူမီနီယမ်-မဂ္ဂနီဆီယမ် အလွိုင်းများကို ဂဟေဆော်ရာတွင် မသင့်တော်ပါ။
ဂဟေဆက်သတ္တု၏ ဓာတုဖွဲ့စည်းမှု (%):
| Si | Fe | Cu | Mn | Ti | Zn | Al | Mg | အခြား |
| ၄.၅ ~ ၆.၀ | ≤၀.၈ | ≤၀.၃၀ | ≤၀.၀၅ | ≤၀.၂၀ | ≤၀.၁၀ | ကျန်ရှိနေပါ | ≤၀.၀၅ | ≤၀.၁၅ |
အကြံပြုထားသော လက်ရှိ:
| တုတ်အချင်း (မီလီမီတာ) | ၃.၂ | ၄.၀ | ၅.၀ |
| ဂဟေဆက် လျှပ်စီးကြောင်း (A) | ၈၀ ~ ၁၀၀ | ၁၁၀ ~ ၁၅၀ | ၁၅၀ ~ ၂၀၀ |
သတိပေးချက်-
၁။ အီလက်ထရုတ်သည် အစိုဓာတ်ကြောင့် ထိခိုက်လွယ်သောကြောင့် အစိုဓာတ်ကြောင့် ယိုယွင်းပျက်စီးခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် ခြောက်သွေ့သော လေလုံသော ဘူးထဲတွင် သိမ်းဆည်းသင့်သည်။ ဂဟေဆက်ခြင်းမပြုမီ အီလက်ထရုတ်ကို ၁၅၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် ၁ နာရီမှ ၂ နာရီအထိ ဖုတ်ရမည်။
၂။ ဂဟေဆော်ခြင်းမပြုမီ နောက်ခံပြားများကို အသုံးပြုသင့်ပြီး ဂဟေဆက်အထူအလိုက် ၂၀၀ မှ ၃၀၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ ကြိုတင်အပူပေးပြီးနောက် ဂဟေဆက်ခြင်းကို လုပ်ဆောင်သင့်သည်။ ဂဟေချောင်းသည် ဂဟေဆက်မျက်နှာပြင်နှင့် ထောင့်မှန်ကျသင့်ပြီး ဂဟေစက်သည် တတ်နိုင်သမျှတိုတောင်းသင့်ပြီး ဂဟေချောင်းများကို လျင်မြန်စွာ အစားထိုးရမည်။
၃။ ဂဟေဆက်ခြင်းမပြုမီ ဂဟေဆက်ထားသောနေရာကို ဆီနှင့် မသန့်စင်မှုများမှ သန့်စင်ရမည်ဖြစ်ပြီး ဂဟေဆက်ပြီးနောက် ချော်ရည်ကို ဂရုတစိုက်ဖယ်ရှားကာ ရေနွေးငွေ့ သို့မဟုတ် ရေနွေးဖြင့် ဆေးကြောသင့်သည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၃ ခုနှစ်၊ ဇွန်လ ၅ ရက်
